ASTM F1630-2000 单晶硅III-V杂质的低温傅里叶变换-红外分析的标准试验方法

作者:标准资料网 时间:2024-05-01 22:32:21  浏览:8608   来源:标准资料网

【英文标准名称】:StandardTestMethodforLowTemperatureFT-IRAnalysisofSingleCrystalSiliconforIII-VImpurities
【原文标准名称】:单晶硅III-V杂质的低温傅里叶变换-红外分析的标准试验方法
【标准号】:ASTMF1630-2000
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:2000
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.06
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:硅;低温技术;杂质;分析方法
【英文主题词】:analysisofsilicon;determinationofdopants;determinationofimpurities;electricallyactiveimpurities;Fouriertransforminfrared;impurities;silicon
【摘要】:ThisstandardwastransferredtoSEMI(www.semi.org)May20031.1Thistestmethodcoversthedeterminationofelectricallyactiveboron,phosphorus,arsenic,aluminum,antimony,andgalliumconcentrationinsinglecrystalsilicon.1.2T
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:6P.;A4
【正文语种】: