SJ 20789-2000 MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法
作者:标准资料网 时间:2024-05-21 05:11:39 浏览:9872
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基本信息
| 标准名称： | MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法 |
| 英文名称： | Rapid screening test methods for Thermal sensitive parameter of MOS field effect transistor |
| 中标分类： | |
| 发布部门： | 中华人民共和国信息产业部 |
| 发布日期： | 2000-10-20 |
| 实施日期： | 2000-10-20 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 提出单位： | 中华人民共和国信息产业部 |
| 归口单位： | 中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： | 杭州电源技术研究所 |
| 起草人： | 叶奇放、易本健、赵英等 |
| 出版社： | 工业电子出版社 |
| 出版日期： | 2000-10-20 |
| 页数： | 5页 |
适用范围
本规范规定了MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选的试验方法。
本规范适用于MOS场效应晶体管（以下简称电阻器）热敏参数快速筛选。
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管
所属分类：
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